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甲壳素中几丁质的提取及淀粉 - 壳聚糖合成膜的制备

时间:2019/10/05    点击量:

新化学材料
钡铁氧体薄膜的电学特性和掺杂效应分析
基于电阻效应的电阻存储器(RRAM)是最具竞争力的下一代非易失性存储器件之一。其基本结构是由上下电极和一层电阻材料形成的夹层结构,与其他存储器相比具有结构简单,读写速度快,存储密度高,延展性高的特点。它引起了极大的关注。
自引入RRAM概念以来,国内外材料勘探和性能研究取得了重大进展,这一领域受到了新的关注[1-3]。
目前,据报道许多类型的材料具有电阻效应,但作为未来RRAM存储器的存储材料,品质因数仍然不能满足实际要求。
近年来,锶和多铁性薄膜材料[4-10]的电阻效应受到广泛关注。特别是,对铁电体和电阻存储之间的键合性能的研究进一步增加了存储密度。
钡铁氧体(BFO)作为RRAM存储单元的候选材料的研究起步较晚。
美国的Yang团队[4]使用导电原子力显微镜来检测Ca掺杂BFO薄膜中的电阻现象。结果,PN结形成并消失。
(本文有3页)
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认可来源:“新化学材料”2017-03